Spansion与台积电合作向40纳米以下挺进

    Spansion公司再度携手台积电，以提高其NOR闪存产能。它与台积电签署了协议，由后者在40纳米及更小节点上为其生产MirrorBit。共同开发MirrorBit技术在40nm及更先进的制程下的衍生技术(Variations)。根据协议，Spansion将利用双方共同开发的MirrorBit衍生技术来扩展其在新领域的适用性，同时台积电负责制程生产的验证，并计划实现将Spansion先进的闪存技术投入量产。关于协议的具体条款并未透露。 


    该协议是双方以前合作关系的延续。台积电也在110纳米和90纳米节点上生产MirrorBit，它在2006年第二季度开始提高110纳米产品的产量，预计将在数月内开始生产90纳米产品。 

    双方未透露计划何时开始生产40纳米器件，但2009年以前似乎不太可能。预计台积电在2008年以前不会推出45纳米制程，而Spansion在2008年中期以前不会提高其内部45纳米器件的产量。

    Spansion和台积电此前签署过一份关于110nm和90nm MirrorBit技术的协议。台积电从2006年第二季度开始以110nm制程生产Spansion闪存晶圆。预计采用90nm MirrorBit技术的产品将在2007年中旬采用300mm晶圆进行量产。


    为了使业务多元化，台积电的对手联电也计划增加闪存业务，考虑在其65纳米和45纳米节点上生产NAND闪存。