DRAM厂库存压力减轻，现货价格跌深反弹，然而合约市场的需求将为DRAM价格是否落底的关键。
在部分DRAM厂库存去化顺利下，现货市场DDR2eTT价格跌深反弹，并带动品牌颗粒价格上涨，现货市场继续破底危机暂时解除。然而目前合约市场价格仍低于现货市场，因此4月份合约市场需求将为DRAM价格是否落底的关键。
现货市场方面，现货市场短暂的需求浮现，DDR2eTT价格跌深反弹，造成各通路商与模块厂商拼命追价，但是短暂反弹后并没有新的需求浮现，价格波动渐趋平缓，DDR2eTT价格反弹至2.75美元左右。而DDR2eTT反弹也带动品牌颗粒价格上涨，DDR2512Mb667MHz颗粒价格上涨至2.96美元，现货市场继续破底危机暂时解除。
分析现货价格反弹主要原因在于三月价格大幅下跌，使得部份PCOEM厂商以及模块厂出手收购低价的库存，因此部分DRAM厂商3月底库存压力减轻状况下，继续杀低的卖压获得控制。而部分库存较低的模块厂与通路商回补库存才造成价格跌深反弹。
然而，目前合约市场DDR2512MB普遍成交价格仍在25元以下，因此换算成颗粒价格约2.5-2.7美元左右，合约与现货价格仍有落差。因此在合约市场价格未止跌之前，现货价格反弹未必代表DRAM价格已经见底。而现阶段观察重点为合约市场的需求。由于4月份为部份美系PCOEM厂商的季底结帐，因此估计对于DRAM合约市场的采购量将会受限。但是目前合约市场价格已经逼近甚至低于DRAM厂商成本，估计DRAM价格下跌空间也相对有限。