晶圆代工厂新加坡特许半导体（CharteredSemiconductor）宣布，继2002年首次与IBM签订半导体先进制程合作协议后，再次延伸与IBM合作开发次世代32纳米制程技术，这是双方自90纳米制程合作后，合作的第四代制程。特许表示，未来32纳米制程将在IBM位于纽约州EastFishkill的12吋厂进行先期开发，之后特许亦有权将制程导入自有厂区生产。
目前全球半导体制程研发已形成多股势力，包括英特尔（Intel）自行研发和以IBM为首的美商超微（AMD）、三星电子（SamsungElectronics）、特许结盟势力，以及晶圆代工台积电自行研发但制程技术获业界普遍所采用的「TSMC-Like」路线为主等多方阵营。随着这几方势力皆计划将技术已趋成熟的45纳米制程在2007年下半排入生产，次世代32纳米制程技术开发也已提前成为下一波角逐战场。
特许宣布延伸与IBM合作协议至32纳米制程，无疑是再度强化此联盟的合作势力，也使过去双方历经3个世代（90、65、45纳米制程）的技术合作获得延续，不过特许、IBM皆未对外宣布关于此次合作的投资金额。IB
M研发副总裁LisaSu则表示，IBM与特许的结合，将发挥双方研发、生产的综效，在业界取得技术领先优势。
特许研发资深副总夏良聚则认为，半导体业界多已体认未来合作开发是解决成本效益的最佳途径，特许将合作技术平台延伸至32纳米制程，对于客户来说，是持续提供最先进而弹性的制造方案。特许日前才宣布，2007年底前将其12吋产能提升至单月3.9万片，未来也将启动第三期计划，完工后总产能将提高为4.5万片，皆是为先进制程预作规划。
据了解，IBM计划将浸润式显影技术一路向下延伸至32、22纳米制程，而此微影技术方式则与英特尔及荷兰设备商ASML所力拱的深紫外光（EUV）技术路数有所歧异。IBM在65纳米制程采用193纳米干式显影，45纳米制程则转进浸润式显影，而32纳米制程以下倾向采取浸润式双重曝光技术；至于英特尔仍在45纳米制程采用既有的干式显影、32纳米制程以下进入浸润式显影，22纳米制程则才跨入EUV技术。
此外，值得注意的是，特许不仅巩固与IBM技术邦谊，与另一合作伙伴三星的关系也愈拉愈近。特许执行长谢松辉将与三星半导体事业技术发展执行副总KwangpyukSuh共同携手参加3月半导体市调机构Semico论坛高峰会，大谈双方跨平台合作经验。