Micron超强超频能力的小D9颗粒
在Micron把内存芯片制造工艺改进到90纳米之后较长一段时间，新工艺的芯片都无法达到“Fatboy”D9的超频能力，直到第四代核心版本的新芯片问世，Micron终于一次让玩家疯狂，编号为D9GCT、D9GMH、D9GKX的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下，把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1200附近！而极限运行频率更达到约1400MHz！
按照这样的势头发展，大牌DRAM厂也许会像DDR末代时期一样推出高于JEDEC规格最高标准的芯片，像当时的hynix D5或SAMSUNG UCCC支持非标准的DDR500一样支持现在DDR2-1066甚至是DDR2-1200，毕竟现在高档产品的利润全部被模组厂商获得，当这个市场足够大时，DRAM制造商也会染指。70nm的制造工艺更有望让DDR2内存创造频率新高，相信随着时间的推移，我们能在07年内看到极限玩家冲破DDR2-1600。
● DDR3产品不错 换代拉力不足
双通道DDR2-800及更高规格内存模组提供的内存带宽目前还未成为DIY PC系统的性能瓶颈，从三年前Intel引入DDR2开始这种状况就未曾改变过，因此DDR2的换代动力并不是很强劲，DDR3只是按技术研发的步伐缓慢的来到我们面前。有趣的是，近两年之前的规划里，DDR3的首个规格是DDR3-1066，这个数字已经被大量DDR2模组实现，DDR3的最低规格也不得不提升至DDR2-1333。
DDR3-1333 1GB内存模组
DDR3的频率上限超过2000MHz，和DDR2一样，它使用预读取技术提升外部频率并降低存储单元运行频率，这次的预读取位数是8bit，因此目前最高DDR3-1600MHz芯片的存储单元频率也仅和DDR2-800及DDR-400的存储单元频率快相当，提升空间非常大。除了预读取位数翻番带来的突发长度改变，DDR3还在多处对DDR2的技术加以改进并应用：
高级的刷新控制 -- DDR3支持根据温度自动自刷新及局部自刷新等其它一些功能，联合重置功能和1.5V的低操作电压，DDR3在功耗方面要比DDR2更为出色。